在當今科技飛速發(fā)展的時代，芯片作為現(xiàn)代信息技術的核心，其性能與質(zhì)量的把控至關重要。芯片的微觀結(jié)構(gòu)和特性直接影響著各類電子設備的運行效率與穩(wěn)定性。而先進的檢測設備則是深入探究芯片奧秘、確保芯片品質(zhì)的關鍵利器。

　　為了更好地滿足半導體行業(yè)客戶的需求，CTI華測檢測最新引進FIB及TEM設備，為芯片檢測領域注入了新的活力與可能。

　　Thermo Fisher Helios G5-UX/Thermo Fisher Scios 2

　　雙束聚焦離子束（Dual Beam-FIB）是微納加工中不可或缺的儀器，集成了非常多的功能：

• 離子束（切割、成像）
• 電子束（高分辨成像）
• GIS氣體注入系統(tǒng)（沉積C、W、Pt或者IEE等輔助刻蝕氣體）
• EasyLift納米機械手（制備TEM樣品）
• EDS能譜（檢測物質(zhì)成分）
• EBSD電子背散射衍射（獲取樣品晶體學信息）等

　　其中Helios G5-UX是目前已經(jīng)量產(chǎn)交付的DB-FIB中最先進的,可以完成目前主流5nm及以下節(jié)點制程的分析，獨有的“Phoenix”低電壓離子束可以顯著提高低電壓狀態(tài)下的離子束分辨率，同時可以有效減少大束流減薄過程中帶來的損傷，非晶層厚度最薄可以達到大約0.5nm。既可以保證樣品足夠薄（20~30nm），又極大程度上避免了樣品非晶化的風險，使得制備超薄樣品的難度大大降低。

　　同時DB-FIB多功能的特性使得它可以實現(xiàn)半導體及材料分析的多種需求。

注入?yún)^(qū)域的觀察

EDS能譜分析

熱點位置缺陷分析

TEM樣品制備

　　Thermo Fisher Talos F200E

　　透射電子顯微鏡(Transmission Electron Microscope)是一個強大的多功能系統(tǒng)，可在半導體器件分析、材料結(jié)構(gòu)分析、細胞生物學、納米技術研究中提供2/3D表征。能夠更好地快速洞察和了解平面二維半導體結(jié)構(gòu)、三維大分子結(jié)構(gòu)、合金的成分及分布情況、晶體生長中缺陷的分布及類型等。融合了快速、多通道、高分辨率STEM成像和TEM成像功能與精確成分分析功能（super-EDX)，可快速、準確地分析材料的結(jié)構(gòu)、成分信息。獲取特定結(jié)構(gòu)的關鍵尺寸，完成客戶對于高時效性、高準確性的需求。

　　主要應用

　　對各種半導體器件及材料樣品進行形貌（如物相分布、粒徑、分散性等）觀察，分析材料晶體結(jié)構(gòu)并在微觀尺度觀察，配合能譜儀對樣品進行成分分析：

　　1）普通（高分辨）透射成像模式：可以用來觀察樣品的形貌和物相分布，高分辨像可以觀察到物質(zhì)的原子排列，確定材料的晶體結(jié)構(gòu)，觀測相分布、晶體缺陷等;

　　2）電子衍射模式：主要用于物相、晶體結(jié)構(gòu)研究，確定物質(zhì)組成等，可以對感興趣區(qū)域進行選區(qū)電子衍射、會聚束電子衍射等;

　　3）掃描透射模式：主要用于形貌及結(jié)構(gòu)的觀察與分析。新型STEM探測器組合系統(tǒng)，可采集DF-S/BF-S/DF-I/HAADF圖像，具有IDPC實時成像技術，根據(jù)客戶的不同需求可以選擇合適的襯度突出顯示目標區(qū)域的組分；

　　4）Super-X能譜：主要用于材料的化學成分的定性、定量分析，可選擇性對樣品進行點測、線掃、面分布分析，可同時采集STEM和EDX的二維和三維分析信號，實現(xiàn)多維快速化學分析；

　　5）三維重構(gòu)系統(tǒng)：主要用于三維角度表征材料尺寸、形貌、三維構(gòu)造及空間分布，可以實現(xiàn)TEM模式的三維重構(gòu)和和掃描透射(STEM)模式三維重構(gòu)。

 
明場像下的FinFET（鰭式場效應晶體管）

鎳基高溫合金析出相形貌及分布

LED芯片中的量子阱結(jié)構(gòu)

GaN襯底中的位錯

　　CTI芯片半導體檢測服務

　　CTI華測檢測擁有專業(yè)的技術團隊，可以根據(jù)客戶的產(chǎn)品測試需求，從方案制定、測試硬件設計、硬件制作、測試及驗證等全方位服務，可以為您提供一站式解決方案。

　　CTI華測檢測還可以提供全面的芯片性能檢測、可靠性驗證、失效分析等服務。