?      為什么芯片需要防靜電

　　靜電是環(huán)境中的自然現(xiàn)象，是電荷在物體中的不平衡分布的一種現(xiàn)象。物體帶電后，電荷會(huì)保持在物體上，故稱為靜電。靜電積累之后，當(dāng)物體電位不同，電荷通過瞬間電流發(fā)生轉(zhuǎn)移的過程即為放電。

　　半導(dǎo)體產(chǎn)品具有非常細(xì)小的線路，為了避免芯片在生產(chǎn)或使用過程中被靜電放電所損傷，在集成電路內(nèi)皆有制作靜電放電防護(hù)電路。隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)先進(jìn)制程發(fā)展推進(jìn)，芯片尺寸不斷縮小，ESD耐壓能力是否同步提升，在靜電防護(hù)的能力上也備受挑戰(zhàn)，ESD測(cè)試是半導(dǎo)體產(chǎn)品先期質(zhì)量驗(yàn)證的重要關(guān)鍵指針。

　　CTI華測(cè)檢測(cè)已通過CNAS/ISO17025/ISO9001資質(zhì)認(rèn)可，ANSI/ESD S20.20靜電防護(hù)體系認(rèn)證?？蔀槟峁┬酒漓o電能力測(cè)試，測(cè)試數(shù)據(jù)準(zhǔn)確可靠，實(shí)驗(yàn)室信息管理系統(tǒng)，保障每個(gè)服務(wù)環(huán)節(jié)的高效、保密運(yùn)轉(zhuǎn)。

?      芯片防靜電能力測(cè)試

　　芯片放電模擬測(cè)試:

　　━模擬因人體在地上走動(dòng)磨擦或其他因素，在人體上已累積了靜電，當(dāng)此人去碰觸到芯片時(shí)，人體上的靜電便會(huì)經(jīng)由芯片的pin腳進(jìn)入芯片內(nèi)，再經(jīng)由芯片放電到地去，瞬間產(chǎn)生的電流可能造成芯片的損毀。

　　━模擬機(jī)器設(shè)備本身累積了靜電，當(dāng)此機(jī)器去碰觸到芯片時(shí)，該靜電便經(jīng)由芯片的pin腳放電。因機(jī)械等效電阻為0奧姆，因此瞬間產(chǎn)生的電流更大，對(duì)芯片的破壞力也強(qiáng)。

　　━芯片先因磨擦或其他因素而在內(nèi)部累積了靜電，但在靜電累積的過程中并未被損傷。當(dāng)此帶有靜電的芯片在使用時(shí)，其pin腳碰觸到接地面時(shí)，芯片內(nèi)部的靜電便會(huì)經(jīng)由pin腳自芯片內(nèi)部流出來，而造成了放電的現(xiàn)象。

　　━瞬間電流被鎖定或者放大，而造成芯片在電源與對(duì)地之間造成短路，而因?yàn)榇箅娏鲹p傷芯片。由于目前半導(dǎo)體電路設(shè)計(jì)密度越來越高，電壓或電流的瞬間變化對(duì)于芯片的損傷也越趨嚴(yán)重。

　　適用測(cè)試標(biāo)準(zhǔn):協(xié)助客戶通過JEDEC、MIL—STD、AEC-Q等可靠性國(guó)際試驗(yàn)標(biāo)準(zhǔn)。

　　適用產(chǎn)品范圍:集成電路芯片、晶體管、MOS管…等。

　　常規(guī)樣品要求:以具體標(biāo)準(zhǔn)為準(zhǔn)。

　　檢測(cè)項(xiàng)目:

　　━人體靜電測(cè)試(HBM，Human Body Model)

　　━機(jī)械靜電測(cè)試(MM，Machine Model)

　　━充電放電測(cè)試(CDM，Charged Device Model)

　　━閂鎖效應(yīng)(Latch-up)

　　━傳輸線脈沖(TLP，Transmission Line Pulse)

　　解決方案:

　　━1.ESD實(shí)驗(yàn)設(shè)計(jì)

　　━2.ESD測(cè)試

　　━3.數(shù)據(jù)分析與匯整報(bào)告

　　━4.ESD培訓(xùn)及咨詢